プラズマCVM
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プラズマCVM ( Chemical Vaporization Machining ) は、大気圧プラズマを用いたプラズマエッチングによる高能率無歪加工法である。
詳細
加工原理そのものは半導体製造プロセス等で用いられる低圧のプラズマエッチングと同じであるが、プラズマ発生圧力を大気圧という高圧力としていることから、①中性ラジカル密度が大きく高い加工能率を有する、②反応ガスの平均自由行程が小さくプラズマを局所的に発生させることが可能であり高い空間分解能を有する、③プラズマ中の平均イオンエネルギーが小さく被加工物表面に損傷を与えない、といった特徴を有している[1] [2]。
これまでに、ワイヤー電極を用いた太陽電池用シリコン薄膜のパターンニング[3]やパイプ型電極を用いた非球面光学素子[4]や水晶基板の数値制御加工[5]、円筒型回転電極を用いたシリコンウエハの平面加工、内周刃型回転電極を用いたシリコンブロックの切断加工[6]、球型回転電極を用いたX線用ミラー[7][8]やSOIウエハの数値制御加工[9][10][11]等、多くの応用研究が行われている。
外部リンク
引用
- ↑ 特許第2521127号
- ↑ 精密工学会誌, 66 (2000) 1280.
- ↑ Solar Energy Materials and Solar Cells, 48 (1997) 373.
- ↑ O plus E, 26 (2004) 1075.
- ↑ 精密工学会誌, 72 (2006) 934.
- ↑ 精密工学会誌, 67 (2001) 295.
- ↑ 精密工学会誌, 67 (2001) 131.
- ↑ Rev. Sci. Instrum., 74 (2003) 4549.
- ↑ 精密工学会誌, 68 (2002) 1590.
- ↑ 精密工学会誌, 69 (2003) 721.
- ↑ Rev. Sci. Instrum., 78 (2007) 086102.
