触媒基準エッチング法(CARE)
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触媒基準エッチング ( CAtalyst-Referred Etching; CARE ) 法は、機械的な基準面を備えた化学研磨法である。
詳細
CAREは、触媒表面極近傍のみに存在する活性種を被加工物表面原子に作用させてエッチング（溶解）を行うものである[1]。触媒定盤表面に接触した被加工物表面凸部より選択的にエッチングが進行し、触媒と接しない凹部はエッチングされないことから、たとえエッチングの選択性を有する結晶欠陥等が存在しても、それらの影響を受けることなく平坦化される。CAREでは通常の研磨で用いられるような砥粒は用いず、表面の原子配列を乱すことなく平坦化が行われる。派生技術として、光照射を併用したPEC (Photo-Electrochemical) CARE[2]が報告されている。CARE法を用いることで、炭化珪素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）といったワイドバンドギャップ半導体の基板表面を原子レベルで平坦化可能である[3] [4]。
外部リンク
引用
- ↑ 応用物理, 77 (2008) 168.
- ↑ Jpn. J. Appl. Phys., 48 (2009) 121001.
- ↑ Appl. Phys. Lett., 90 (2007) 202106.
- ↑ J. Electrochem. Soc., 159 (2012) H417.
